- Tytuł:
- The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
- Autorzy:
-
Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D. - Data publikacji:
- 2007
- Słowa kluczowe:
-
ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł