Wszystkie pola: defects in materials

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Badanie defektów typu antisite w kryształach AIIIBV metodą EPR
Badanie defektów typu antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV
Materiały Elektroniczne 1986 nr 2(54)
Autorzy:: Jabłoński Ryszard
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: defekt typu "antisite"
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
AIIIBV
EPR
"antisite" defect
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu
Proceedings of ONPMP 1976 nr 1[7]
Prace ONPMP 1976 nr 1[7]
Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz.
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
epitaxial layer
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn
Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR
Prace ITME 1995 z. 45
Autorzy:: Palczewska Maria
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: paramagnetic defect
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
ESR
Electronic materials
AIIIBV
defekt paramagnetyczny
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego
Proceedings of ITME 1984 z. 13
Prace ITME 1984 z. 13
Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego = Growth defects in single crystals of gadolinium gallium garnet
Autorzy:: Naumowicz Piotr
Współwytwórcy:: Cinak Janusz
Wieteska Krzysztof
Szarras Stanisław
Janusz Czesław
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: single crystal
Elektronika - czasopismo - materiały
monokryształ
Materiały elektroniczne
GGG
growth defect
Electronic materials
Electronic - journal - material
defekt wzrostowy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 nr 3(63)
Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji
Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals
Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Dąbrowska Irena
Wierzchowski Wojciech
Materna Andrzej
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dyslokacja
dislocation
GaAs
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Prace ITME 1986 z. 19
Proceedings of ITME 1986 z. 19
Badanie aktywności elektrycznej defektów strukturalnych w monokryształach półprzewodnikowych = Investigation of the electrical activity of structural defects in semiconductors monocrystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
aktywność elektryczna defektu
semiconductor monocrystal
monokryształ półprzewodnikowy
Electronic - journal - material
electrical activity of defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals
Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)
Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami
Autorzy:: Jabłoński Ryszard
Współwytwórcy:: Nowysz Karol
Palczewska Maria
Hruban Andrzej
Orłowski Wacław
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
ESR
Electronic materials
Electronic - journal - material
SI Ing
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu
Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu = On some properties of "antisite" defects in neutron irradiated GaAs
Materiały Elektroniczne 1986 nr 2(54)
Autorzy:: Wosik Jarosław
Współwytwórcy:: Palczewska Maria
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: GaAsP
neutron irradiated
Elektronika - czasopismo - materiały
Defekt typu antisite
Materiały elektroniczne
napromieniowanieneutrnami
Electronic materials
"antisite" defect
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1988 nr 2(62)
Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors
Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych
Autorzy:: Adamkiewicz Grażyna
Współwytwórcy:: Bajor Andrzej
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: polaryskop liniowy
strain
kryształ półprzewodnikowy
Elektronika - czasopismo - materiały
naprężenie
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
semiconductor wafer
plane polariscope; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1988 nr 2(62)
Badania metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej defektów strukturalnych monokryształów Y2Al5O12 silnie domieszkowanych neodymem = The investigation of structural defects in the heavily Nd - doped YAG crystals by means of \\x-ray diffraction topography
Badania metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej defektów strukturalnych monokryształów Y2Al5O12 silnie domieszkowanych neodymem
Autorzy:: Mazur Krystyna
Współwytwórcy:: Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: X-ray diffraction topography
Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
dyfrakcyjan topografia rentgenowska
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Nd:YAG
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "defects in materials" wg kryterium: Wszystkie pola