Wszystkie pola: Mirowska, Aleksandra

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem = Homogenity of electrical paremeters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 4
Autorzy:: Mirowska Aleksandra
Współwytwórcy:: Orłowski Wacław
Piersa Mirosław
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaSb
segregacja przestrzenna
własności elektryczne
segregation
method Czochralski
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda Czochralskiego
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
dielectrical parameters; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego = Evaluation of growth conditions for 3" gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Autorzy:: Mirowska Aleksandra
Współwytwórcy:: Orłowski Wacław
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: defekty
GaSb
Czochralski method
segregation
domieszkowanie
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda Czochralskiego
segregacja
doping
Electronic - journal - materials
defects
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą = Czochralskiego = Growth of gallium antimonide single crystals in <111> and <100) directions by Czochralski method
Autorzy:: Mirowska Aleksandra
Współwytwórcy:: Orłowski Wacław
Hruban Andrzej
Bańkowska Anna
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaSb
własności optyczne
crystal growth
doping electrical properties
domieszkowanie
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 1
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:: Mirowska Aleksandra
Współwytwórcy:: Orłowski Wacław
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Si
GaSb
Zn
GDMS
koncentracja domieszek
domieszkowanie
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda Czochralskiego
doping
Electronic - journal - materials
dopant concentration
Elektronika - czasopismo - materiały
Cz method
Te; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Nowoczesne materiały termoelektryczne - przegląd literaturowy = Advanced thermoelectric materials - literature review
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Nowoczesne materiały termoelektryczne - przegląd literaturowy
Autorzy:: Królicka Aleksandra
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: thermoelectric materials
effckt Seebeck
effect Thomson
efekt Peltiera
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
efekt Seebecka
materiały termoelektryczne
efekt Thomsona
effect Peltier
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
Electronic materials
LEC
B2O3
InAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaD
metoda LEC
crystal growth
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
LEC method
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Autorzy:: Orłowski, Wacław
Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Gładki Andrzej
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
LP-LEC
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
HP-LEC
Electronic - journal - materials
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method
Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
Autorzy:: Hruban Andrzej
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Materna Andrzej
Dalecki Wojciech
Orłowski Wacław
Mirowska Aleksandra
Piersa Mirosław
JJurkiewicz-Wegner Elżbieta
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: LEC thermal annealing
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
obróbka termiczna
Electronic - journal - materials
EPD
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja