Wszystkie pola: Orłowska, Elżbieta

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: transition metal
własności elektryczne
dielectric properties
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
metal przejściowy
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1983 nr 4(44)
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
VLSI
Electronic - journal - materials
parametry struktur epitaksjalnych
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors
Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
detektor promieniowania jądrowego
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
nuclear radiation detector
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Fotoluminescencja krzemu porowatego = Photoluminescence from porous silicon
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Fotoluminescencja krzemu porowatego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: fotoluminescencja
krzem porowaty
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
photoluminescence
porous silicon
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lachowski Andrzej
Łazowy Barbara
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
epitaxial junction
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
złącze epitaksjalne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology
Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych
Materiały Elektroniczne 1978 nr 1(21)
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jerzy
Grudzieński Andrzej
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: reversed epitaxy
Si
epitaksja odwrotna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Epitaksja krzemu na krzemie porowatym
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
krzem porowaty
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
fizyczno-chemiczne osadzanie z fazy gazowej
CVD
porous silicon
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 4
Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji
Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Wodzińska Halina
Tkaczuk Andrzej
Nowotniak Helena
Zielińska Teresa
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon wafer
silicon epitaxy
linia poślizgu
płytka krzemowa
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
doslocation slip
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających
Materiały Elektroniczne 1992 nr 2(78)
Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes
Autorzy:: Skwarcz Jerzy
Współwytwórcy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: Wydaw. Przemysłowe WEMA
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
Si
dioda mikrofalowa
microwave diode
warstwa epitaksjalna
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1979 nr 1(25)
Metoda kontrolowanego zaokrąglania płytek krzemowych
Metoda kontrolowanego zaokrąglania płytek krzemowych = The method of the controllable silicon wafer edge rounding
Autorzy:: Grudzieński Andrzej
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jacek
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: silicon wafer
zaokrąglanie krawędzi
płytka krzemowa
edge rounding
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Orłowska, Elżbieta" wg kryterium: Wszystkie pola