Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Strzelecka, Stanisława
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
GaP
Electronic - journal - materials
widmo absorpcji w podczerwieni
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
koncentracja węgla; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe) = The influence of doping on the electrical and thermoelectrical properties of PbTe
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe)
Autorzy:: Wilczyński Sławomir
Współwytwórcy:: Hruban Andzrej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: PbTe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
własności termoelektryczne
thermoelectrical properties
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Nowysz Karol
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
electrical parameter
parametr elektryczny
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs
Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Surma Barbara
Współwytwórcy:: Mozdżonek Małgorzata
Strzelecka Stanisława
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
absorption spectra
Electronic - journal - materials
SiGaAs
SI GaAs
widmo absorpcyjne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
Electronic materials
LEC
B2O3
InAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaD
metoda LEC
crystal growth
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
LEC method
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Autorzy:: Orłowski, Wacław
Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Gładki Andrzej
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
LP-LEC
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
HP-LEC
Electronic - journal - materials
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4
Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC
Autorzy:: Dalecki Wojciech
Współwytwórcy:: Nowysz Karol
Strzelecka Stanisława
Orłowski Wacław
Hruban Andrzej
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1997
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: metoda LEC
Materiały elektroniczne
LEC technique
B2O3
AIIIBV
Electronic- materials
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method
Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
Autorzy:: Hruban Andrzej
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Materna Andrzej
Dalecki Wojciech
Orłowski Wacław
Mirowska Aleksandra
Piersa Mirosław
JJurkiewicz-Wegner Elżbieta
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: LEC thermal annealing
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
obróbka termiczna
Electronic - journal - materials
EPD
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Strzelecka, Stanisława" wg kryterium: Wszystkie pola