Wszystkie pola: defects in materials

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide
Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu
Materiały Elektroniczne 1975 nr 3(11)
Autorzy:: Pietras Edward
Współwytwórcy:: Benbenek Zbigniew
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyfuzja Zn
zinc diffusion
generacja defektów
Electronic - journal - materials
generation of defects
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4
Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4)
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4
Autorzy:: Jabłoński Ryszard
Data publikacji:: 1997
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: paramagnetic defect
PBWO4
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
ESR
PbWO4
defekt paramagnetyczny
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 1
Radiation-induced defects formation in Bi-containing vitreous chalcogenides = Defekty poradiacyjne w bizmutowych chalkogenidach szklistych
Autorzy:: Shpotyuk Oleg
Współwytwórcy:: Kovalskiy Andrity
Vakiv Mykola
Balitska Valentina
Data publikacji:: 1997
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Electronic - materials
Materiały elektroniczne
gamma irradiation
defekt radiacyjny
AChS
napromieniowanie
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
radiation induced defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wady krystalograficzne i przebicia mikroplazmowe w epitaksjalnych złączach p-n
Wady krystalograficzne i przebicia mikroplazmowe w epitaksjalnych złączach p-n = Structural defects and microplasma breakdowns in epitaxial p-n layers
Materiały Elektroniczne 1975 nr 3(11)
Autorzy:: Magden I.N
Magden I.N.
Współwytwórcy:: Safonow W.A.
Turczaninow J.N.
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: structural defect
defekt strukturalny
Elektronika - czasopismo - materialy
microplasma breakdown
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
przebicie mikroplazmowe
epitaksjalne złącze p-n
Electronic - journal - materials
epitaxial p-n junction; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4)
Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4) = Structure defects in ADP (NH4H2PO4) single crystals
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Autorzy:: Wieteska Krzysztof
Współwytwórcy:: Szmid Zofia
Czeszko Jerzy
Szarras Stanisław
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Electronic - materials
dtructure defect
Materiały elektroniczne
ADP
Electronic - journal - materials
defekt struktury
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: 4H-SiC
electron traps
points defects
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
defekt punktowy
DLTS
pułapka elektronowa
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: deep-level defect
głębokie centrum defektowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1975 nr 2(10)
Ocena stopnia zdefektowania warstwy ładunku przestrzennego dyfuzyjnych złącz p-n w arsenku galu = The evaluation of space charge layer defects in gallium arsenide diffusion p-n junctions
Ocena stopnia zdefektowania warstwy ładunku przestrzennego dyfuzyjnych złącz p-n w arsenku galu
Autorzy:: Pietras Edward
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: defekt
defect
Elektronika - czasopismo - materialy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
złącze dyfuzyjne
Electronic - journal - materials
space charge layer
warstwa ładunku przestrzennego
GaAs
diffusion p-n junction; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1979 nr 1(25)
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG. Part 1. = Analysis of the defects occuring in the silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part 1
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG
Autorzy:: Ciszewski Bohdan
Współwytwórcy:: Kącki Jerzy
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronka - czasopsimo - materiały
defekt
metoda EFG
defect
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
silicon ribbon
EFG method
taśma krzemowa
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymanych metodą EPG, Cz. II
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymanych metodą EPG. Cz. II = An analysis of the defects occuring in silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part II
Materiały Elektroniczne 1979 nr 2(26)
Autorzy:: Ciszewski Bohdan
Współwytwórcy:: Kącki Jerzy
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: defekt
metoda EFG
defect
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
silicon ribbon
EFG method
taśma krzemowa
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "defects in materials" wg kryterium: Wszystkie pola