Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Strzelecka, Stanisława
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
GaP
Electronic - journal - materials
widmo absorpcji w podczerwieni
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
koncentracja węgla; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem
Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem = Characterization of semi-insulating InP:Fe by electrical and optical measurements
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Pawłowska, Marta.
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Hruban Andrzej
Piersa Mirosław
Pawłowska Marta
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: optical properties
własności optyczne
SI InP:Fe
własniści elektryczne
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
electrical parameter
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 3
Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation
Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Jurkiewicz-Wegner, Elżbieta.
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Hruban Andrzej
Piersa Mirosław
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
electrical parameter
parametry elektryczne
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals
Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu
Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 2/3
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Gładki Andrzej
Głasdysz Maria
Orłowski Wacław
Hruban Andrzej
Głasdys Maria
Data publikacji:: 1996
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: compensation payments LFA
kompensacja
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
domieszkowanie węglem
SI GaAs
carbon doping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe) = The influence of doping on the electrical and thermoelectrical properties of PbTe
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe)
Autorzy:: Wilczyński Sławomir
Współwytwórcy:: Hruban Andzrej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: PbTe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
własności termoelektryczne
thermoelectrical properties
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Nowysz Karol
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
electrical parameter
parametr elektryczny
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs
Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Surma Barbara
Współwytwórcy:: Mozdżonek Małgorzata
Strzelecka Stanisława
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
absorption spectra
Electronic - journal - materials
SiGaAs
SI GaAs
widmo absorpcyjne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaD
metoda LEC
crystal growth
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
LEC method
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Autorzy:: Orłowski, Wacław
Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Gładki Andrzej
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
LP-LEC
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
HP-LEC
Electronic - journal - materials
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Strzelecka, Stanisława" wg kryterium: Wszystkie pola