Temat: InP - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors
Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: deep level
Elektronika - materiały
defect center
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
cntrum defektowe
HRPITS
SI INP
poziom głęboki
SI InP
SI GaAs
SI Si; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Strzelecka, Stanisława
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 3/4
Estamacja ciśnień w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury = Pressure estimation in quartz ampoule in during InP synthesis by HGF method, on the base temperature distribution measurement
Estymacja ciśnień w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury
Autorzy:: Materna Andrzej
Współwytwórcy:: Orzyłowski Marek
Rudolf Zbigniew
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
HGF method
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
metoda HGF; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 1
Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych
Autorzy:: Nishizawa Jun-ichi
Współwytwórcy:: Oyama Yutaka
Data publikacji:: 1997
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: deep level
stechiometria
InP
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
poziom głęboki
stechiometry; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik Agata
Współwytwórcy:: Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: heterostructure
In/InGaAs
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
MOVPE
InP/InGaAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem
Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem = Characterization of semi-insulating InP:Fe by electrical and optical measurements
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Pawłowska, Marta.
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Hruban Andrzej
Piersa Mirosław
Pawłowska Marta
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: optical properties
własności optyczne
SI InP:Fe
własniści elektryczne
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
electrical parameter
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP = Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
Autorzy:: Zynek Jadwiga
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
fotodioda planarna
PECVD
silicon nitride
planar photodiode
azotek krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja