- Tytuł:
-
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1 - Autorzy:
- Plewa Dariusz
- Współwytwórcy:
-
Kamiński Paweł
Kozłowski Roman - Data publikacji:
- 1995
- Wydawca:
- ITME
- Słowa kluczowe:
-
deep-level defect
głębokie centrum defektowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych