Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "defects in materials" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide
Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu
Materiały Elektroniczne 1975 nr 3(11)
Autorzy:
Pietras Edward
Współwytwórcy:
Benbenek Zbigniew
Data publikacji:
1975
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyfuzja Zn
zinc diffusion
generacja defektów
Electronic - journal - materials
generation of defects
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4
Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4)
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4
Autorzy:
Jabłoński Ryszard
Data publikacji:
1997
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
paramagnetic defect
PBWO4
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
ESR
PbWO4
defekt paramagnetyczny
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 1
Radiation-induced defects formation in Bi-containing vitreous chalcogenides = Defekty poradiacyjne w bizmutowych chalkogenidach szklistych
Autorzy:
Shpotyuk Oleg
Współwytwórcy:
Kovalskiy Andrity
Vakiv Mykola
Balitska Valentina
Data publikacji:
1997
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
gamma irradiation
defekt radiacyjny
AChS
napromieniowanie
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
radiation induced defect
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4)
Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4) = Structure defects in ADP (NH4H2PO4) single crystals
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Autorzy:
Wieteska Krzysztof
Współwytwórcy:
Szmid Zofia
Czeszko Jerzy
Szarras Stanisław
Data publikacji:
1978
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
Electronic - materials
dtructure defect
Materiały elektroniczne
ADP
Electronic - journal - materials
defekt struktury
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Autorzy:
Kamiński Paweł
Data publikacji:
2010
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
4H-SiC
electron traps
points defects
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
defekt punktowy
DLTS
pułapka elektronowa
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Autorzy:
Plewa Dariusz
Współwytwórcy:
Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:
1995
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
deep-level defect
głębokie centrum defektowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Badanie defektów typu antisite w kryształach AIIIBV metodą EPR
Badanie defektów typu antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV
Materiały Elektroniczne 1986 nr 2(54)
Autorzy:
Jabłoński Ryszard
Data publikacji:
1986
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
defekt typu "antisite"
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
AIIIBV
EPR
"antisite" defect
Electronic - journal - material
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu
Proceedings of ONPMP 1976 nr 1[7]
Prace ONPMP 1976 nr 1[7]
Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Pawłowska Marta
Data publikacji:
1976
Wydawca:
Wydaw. Przem. Masz.
Słowa kluczowe:
Si
warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
epitaxial layer
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn
Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR
Prace ITME 1995 z. 45
Autorzy:
Palczewska Maria
Data publikacji:
1995
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
paramagnetic defect
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
ESR
Electronic materials
AIIIBV
defekt paramagnetyczny
Electronic - journal - material
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego
Proceedings of ITME 1984 z. 13
Prace ITME 1984 z. 13
Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego = Growth defects in single crystals of gadolinium gallium garnet
Autorzy:
Naumowicz Piotr
Współwytwórcy:
Cinak Janusz
Wieteska Krzysztof
Szarras Stanisław
Janusz Czesław
Data publikacji:
1984
Wydawca:
Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:
single crystal
Elektronika - czasopismo - materiały
monokryształ
Materiały elektroniczne
GGG
growth defect
Electronic materials
Electronic - journal - material
defekt wzrostowy
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies