- Tytuł:
-
Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4
Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te
Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53) - Autorzy:
- Kamiński Paweł
- Współwytwórcy:
-
Sroczyński Paweł
Surma Barbara - Data publikacji:
- 1986
- Wydawca:
- Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
- Słowa kluczowe:
-
warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
defect
gęstość dyslokacji
epitaxy layer
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dislocation density
Electronic - journal - material
GaAsP:Te - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka