Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława.

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Strzelecka, Stanisława
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
GaP
Electronic - journal - materials
widmo absorpcji w podczerwieni
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
koncentracja węgla; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: materiał półizolacyjny
Elektronika - czasopismo - materiały
własności elektryczne
GaAs
Materiały elektroniczne
Si crystal
obróbka termiczna
annealing
GaP
Electronic materials [KABA]
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Strzelecka Stanisław
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: optical properties
własności optyczne
Elektronika - czasopismo - materiały
własności elektryczne
Materiały elektroniczne
Electronic materials
GaP
Electronic - journal - material
electrical properties; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaD
metoda LEC
crystal growth
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
LEC method
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja