- Tytuł:
- Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
- Autorzy:
-
Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A. - Data publikacji:
- 2005
- Słowa kluczowe:
-
Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł