- Tytuł:
- Low-temperature growth of GaSb epilayers on GaAs (001) by molecular beam epitaxy
- Autorzy:
-
Benyahia, D.
Kubiszyn, Ł.
Michalczewski, K.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A. - Data publikacji:
- 2016
- Słowa kluczowe:
-
MBE
GaSb
GaAs
IR detectors - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech