Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "InGaAs/InP heterostructures" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:
Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.
Data publikacji:
2005
Słowa kluczowe:
Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies