Temat: DISLOCATION - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie
Materiały Elektroniczne 1977 nr 3(19)
Autorzy:: Valčič, Andreja V.
Valčič Andreja V.
Współwytwórcy:: Roknic Rastko N.
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
dislocation mobility
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
ruchliwość dyslokacji
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1975 nr 4(12)
Metodyka bezpośredniego ujawniania dyslokacji na przykładzie miedzi i fosforku galu = Methodics of direct dislocations revealing on the pattern of Copper and Gallium Phosphide
Metodyka bezpośredniego ujawniania dyslokacji na przykładzie miedzi i fosforku galu
Autorzy:: Drożdż Tadeusz
Współwytwórcy:: Vieth Wojciech
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: trawienie selektywne
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
dyslokacja
dislocation
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
chemical etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 nr 3(63)
Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji
Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals
Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Dąbrowska Irena
Wierzchowski Wojciech
Materna Andrzej
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dyslokacja
dislocation
GaAs
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Nowa metoda identyfikacji typu dyslokacji na podstawie topografii rentgenowskiej Langa = A new identification method of the dislocation type based on the Lang topography
Nowa metoda identyfikacji typu dyslokacji na podstawie topografii rentgenowskiej Langa
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Autorzy:: Majcher Krzysztof
Data publikacji:: 1979
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: topografia rentgenowska
x-ray topography
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyslokacja
dislocation
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych = The investigations of misfit dislocations creation in silicon epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1980 nr 2(30)
Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych
Autorzy:: Mazur Krystyna
Współwytwórcy:: Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: misfit dislocation
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyslokacja niedopadowania
krzemowa kwarstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji = The investigation of low dislocation GaAs single crystals perfection
Proceedings of ITME 1990 z. 30
Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji
Prace ITME 1990 z. 30
Autorzy:: Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1990
Wydawca:: Wydaw. Przem. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
gęstość dyslokacji
Materiały elektroniczne
Electronic materials
GaAs dislocation density
structural perfection
GaAs
Electronic - journal - material
doskonałość struktury; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego = The methods of revealing, clasification and "swirls" defects in the dislocation free float-zone silicon crystals
Materiały Elektroniczne 1976 nr 3(15)
Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego
Autorzy:: Jeske Witlod
Współwytwórcy:: Weyher Jan
Sadowski Janusz
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego WEMA
Słowa kluczowe:: dislocation free crystal
SiF2
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
bezdyslokacyjny monokryształ
Electronic - journal - materials
SWIRLS defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
SWIRLS defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4
Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te
Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Sroczyński Paweł
Surma Barbara
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
defect
gęstość dyslokacji
epitaxy layer
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dislocation density
Electronic - journal - material
GaAsP:Te; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Badanie dyslokacji w krzemie i w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą rentgenowskiej topografii odbiciowej metodą Berga-Barretta = The investigation of dislocations in Si and in epitaxial Si layers by Berg-Barret x-ray reflection topography
Materiały Elektroniczne 1975 nr 2(10)
Badanie dyslokacji w krzemie i w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą rentgenowskiej topografii odbiciowej metodą Berga-Barretta
Autorzy:: Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
X-ray reflection topography
epitaxial Si layer
Elektronika - czasopismo - materialy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyslokacja
rentgenowska topografia odbiciowa
dislocation
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
Prace ITME 1984 z. 11
Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej = The images of dislocations in silocon epitaxial layers obtained with help of X-ray diffraction topographic methods
Proceedings of ITME 1984 z. 11
Autorzy:: Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: X-ray diffraction topography
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
rentgenowska topografia dyfrakcyjna
Si epitaxial layer
Electronic materials
dyslokacja
dislocation
krzemowa kwarstwa epitaksjalna
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "DISLOCATION" wg kryterium: Temat