- Tytuł:
- Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices
- Autorzy:
-
Palankovski, V.
Selberherr, S. - Data publikacji:
- 2004
- Słowa kluczowe:
-
SiGe HBT
numerical simulation
band gap
mobility
small-signal simulation
S-parameters - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech