- Tytuł:
- Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg₁₋xCdxTe in wide temperature range
- Autorzy:
-
Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. M. - Data publikacji:
- 2014
- Słowa kluczowe:
-
HgCdTe
MIS structure
admittance
graded-gap layer
differential resistance of space-charge region - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł