- Tytuł:
- Reduction in dislocation density and strain in GaN thin films grown via maskless pendeo-epitaxy
- Autorzy:
-
Roskowski, A. M.
Preble, E. A.
Einfeldt, S.
Miraglia, P. M.
Schuck, J.
Grober, R.
Davis, R. F. - Data publikacji:
- 2002
- Słowa kluczowe:
-
pendeo-epitaxy
gallium nitride
metalorganic vapour phase
lateral growth rate
vertical grovth rate
dislocations
strain
relaxation
wing tilting
atomic force microscopy (AFM)
X-ray diffraction
photoluminescence
Raman - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł