- Tytuł:
- Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
- Autorzy:
- Kozubal, N.
- Data publikacji:
- 2006
- Słowa kluczowe:
-
struktura defektowa półprzewodników
niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa
badanie centrów defektowych
warstwa epitaksjalna GaN:Si
wpływ wysokoenergetycznego promieniowania protonowego
promieniowanie protonowe - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł