Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Biblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBiblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie

Wyszukujesz frazę "quantum well structure" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Optical characterisation of strained-layer In/sub x/Ga/sub 1-x/As/GaAs MQW LED grown by MOVPE.
    Autorzy:
    Sęk, G.
    Ciorga, M.
    Bryja, L.
    Misiewicz, J.
    Radziewicz, D.
    Ściana, B.
    Tłaczała, M.
    Data publikacji:
    2000
    Słowa kluczowe:
    optical characterisation
    In/sub x/Ga/sub 1-x/As/GaAs MQW LED
    strained-layer MQW LED
    MOVPE
    photoreflectance spectroscopy
    photoluminescence
    electroluminescence
    room temperature optical investigation
    1,2-dichloroethane
    strained-layer multiple quantum well
    light-emitting diode
    fundamental transition
    emission spectra
    active region
    excited state transitions
    band structure
    device performance
    p-doped GaAs cladding layer
    built-in electric field
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies