Wszystkie pola: photoinduced spectroscopy

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Autorzy:: Pawłowski, M.
Suproniuk, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: PITS
centrum defektowe
półprzewodnik wysokorezystywny
adekwatność modelu
defect center
semi-insulating material
model adequacy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Błąd adekwatności modelu obrazowania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych badanej metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.
Autorzy:: Pawłowski, M.
Suproniuk, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: adekwatność modelu
spektroskopia fotoprądowa
centra defektowe
półprzewodniki wysokorezystywne
elektrotechnika
elektroenergetyka
model adequacy
PITS
defect center
semi-insulating materials
electrical technology
electrical power engineering; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 2
Autorzy:: Pawłowski, Michał.
Pawłowski Michał
Współwytwórcy:: Suproniuk Marek
Suproniuk, Marek.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: semi-insulating material
PITS
adekwatność modelu
Electronic - materials
model adequacy
Materiały elektroniczne
półprzewodnik wysokorezystywny
Electronic - journal - materials
centrum defektowe
Elektronika - czasopismo - materiały
defect center; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors
Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: deep level
Elektronika - materiały
defect center
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
cntrum defektowe
HRPITS
SI INP
poziom głęboki
SI InP
SI GaAs
SI Si; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja