- Tytuł:
- Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
- Autorzy:
-
Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A. - Data publikacji:
- 2014
- Słowa kluczowe:
-
gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech