Temat: InGaN/GaN - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
Autorzy:: Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
Autorzy:: Wójcik Marek
Współwytwórcy:: Rudziński Mariusz
Gaca Jarosław
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: interfejs
heterostructure
inteface
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
GaN
Electronic - journal - materials
HRXRD
Elektronika - czasopismo - materiały
InGaN; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja