- Tytuł:
- Investigation of strained InGaAs layers on GaAs substrate.
- Autorzy:
-
Jasik, A.
Sass, J.
Mazur, K.
Wesołowski, M. - Data publikacji:
- 2007
- Słowa kluczowe:
-
low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP MOVPE)
strained InGaAs layer
critical layer thickness
high resolution X-ray diffractometry (HR XRD)
diffuse scattering
atomic force microscopy (AFM)
misfit dislocation
plastic relaxation - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł