- Tytuł:
- Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych
- Autorzy:
-
Wojtasiak, W.
Kuchta, D. - Data publikacji:
- 2015
- Słowa kluczowe:
-
GaN
HEMT
tranzystor
ruchliwość
koncentracja
transistor
modeling
electron mobility
concentration - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech