Temat: III-V semiconductors

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Dependence of GaAs and Si surface energy on the misorientation angle of crystal planes
Autorzy:: Zdyb, A.
Olchowik, J. M.
Mucha, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: półprzewodniki III-V
powierzchnia międzyfazowa
związki galu
III-V semiconductors
interface; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications
Autorzy:: Dwiliński, R.
Doradziński, R.
Sierzputowski, L.
Kucharski, R.
Zając, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
metoda amonotermalna
półprzewodniki III-V
gallium nitride
ammonothermal
III-V semiconductors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modelling of radial steam oxidation of AlAs layers in cylindrically symmetric mesa structures of vertical-cavity surface-emitting lasers
Autorzy:: Nakwaski, W.
Maćkowiak, P.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: związki glinu
III-V półprzewodnik
półprzewodniki III-V
laser
laser półprzewodnikowy
aluminium compounds
III-V semiconductors
surface-emitting lasers
semiconductor laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: High-performance 980-nm strained-layer InGaAs/GaAs quantum-well lasers
Autorzy:: Bugajski, M.
Regiński, K.
Mroziewicz, B.
Kubica, J.M.
Sajewicz, P.
Piwoński, T.
Zbroszczyk, M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: laser
gęstość prądu
arsenek galu
półprzewodniki III-V
III-V półprzewodnik
związki indu
wiązka laserowa
laser o studni kwantowej
current density
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser beams
quantum well laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Design considerations for GaAs/(AlGa)As SCH and GRIN-SCH quantum-well laser structures. II. The results
Autorzy:: Czyszanowski, T.
Wasiak, M.
Nakwaski, W.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: związki glinu
arsenek galu
III-V półprzewodnik
półprzewodniki III-V
wiązka laserowa
laser o studni kwantowej
laser
laser falowodowy
aluminium compounds
gallium arsenide
gradient index optics
III-V semiconductors
laser beams
quantum well laser
waveguide laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Operation of arsenide diode lasers at elevated temperatures
Autorzy:: Czyszanowski, T.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: związki glinu
arsenek galu
III-V półprzewodnik
półprzewodniki III-V
wiązka laserowa
straty optyczne
laser półprzewodnikowy
laser
laser falowodowy
aluminium compounds
gallium arsenide
gradient index optics
III-V semiconductors
laser beam
optical losses
optimisation
semiconductor laser
waveguide laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Design considerations for GaAs/(AlGa)As SCH and GRIN-SCH quantum-well laser structures. I. The model
Autorzy:: Czyszanowski, T.
Wasiak, M.
Nakwaski, W.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: laser falowodowy
związki glinu
arsenek galu
III-V półprzewodnik
półprzewodniki III-V
wiązka laserowa
laser o studni kwantowej
laser
aluminium compounds
carrier density
gallium arsenide
gradient index optics
III-V semiconductors
laser beam
optical losses
quantum well laser
waveguide laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Resonant cavity enhanced photonic devices.
Autorzy:: Bugajski, M.
Muszalski, J.
Mroziewicz, B.
Regiński, K.
Ochalski, T.J.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: resonator komorowy
laser
dioda elektroluminescencyjna
DEL
wzrost epitaksjalny
arsenek galu
III-V półprzewodnik
półprzewodniki III-V
związki indu
wiązka laserowa
pompowanie optyczne
cavity resonator
distributed Bragg reflector lasers
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser beam
molecular beam epitaxial growth
optical pumping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja