- Tytuł:
- Influence of the AP MOVPE process conditions on InGaAsN/GaAs MQW MSM photodetectors parameters
- Autorzy:
-
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Badura, M.
Dawidowski, W.
Tłaczała, M.
Latkowska, M. - Data publikacji:
- 2013
- Słowa kluczowe:
-
rozrzedzone azotki
fotodetektory metal-półprzewodnik-metal
układ potrójnych studni kwantowych
spektroskopia bezkontaktowego elektroodbicia
fotoluminescencja
spektralne charakterystyki prądowo-napięciowe
epitaksja z fazy gazowej
wykorzystanie związków metaloorganicznych
dilute nitrides
atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy
metal-semiconductor-metal photodetectors
triple quantum wells
contactless electro-reflectance spectroscopy
photoluminescence
spectral current-voltage characteristics - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł