Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "trap method" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO₂ i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
Autorzy:
Gutt, T.
Małachowski, T.
Przewłocki, H. M.
Engstrom, O.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:
2011
Słowa kluczowe:
węglik krzemu
pułapki powierzchniowe
struktura MOS
naprężenia mechaniczne
silicon carbide
interface traps
MOS structure
mechanical stress
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies