Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Biblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBiblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie

Wyszukujesz frazę "silicon PIN diode" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
    Autorzy:
    Kwietniewski, N.
    Pazio, K.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Droździel, A.
    Kulik, M.
    Prucnal, S.
    Pyszniak, K.
    Rawski, M.
    Turek, M.
    Żuk, J.
    Data publikacji:
    2009
    Słowa kluczowe:
    węglik krzemu
    4H-SiC
    implantacja
    dioda PIN
    źródło jonów
    rozpraszanie Ramana
    silicon carbide
    implantation
    PIN diode
    ion source
    Raman scattering
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies