- Tytuł:
- Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym: wpływ grubości warstwy epitaksjalnej InAs na podłożu GaAs <100> na jej jakość krystaliczną i półprzewodnikową : miniaturyzacja w technologii krzemowej
- Autorzy:
-
Wolkenberg, A.
Przesławski, T.
Regiński, K.
Bąk-Misiuk, J.
Kaniewski, J. - Data publikacji:
- 2000
- Słowa kluczowe:
-
przemysł elektroniczny
warstwa epitaksjalna
warstwa półprzewodnikowa
warstwa epitaksjalna InAs
podłoże GaAs
grubość warstwy
jakość krystalograficzna
jakość półprzewodnikowa
miniaturyzacja
technologia krzemowa
semiconductor electronic industry
epitaxial thickness
InAs epitaxial layers
GaAs wafers
crystallographic quality
semiconductor quality
miniaturization
silicon technology - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł