Wszystkie pola: metoda layer-by-layer

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Autorzy:: Brzozowski, A.
Sarnecki, J.
Lipiński, D.
Wodzińska, H.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: rezystywność
oporność rozpływu
krzem monokrystaliczny
warstwa epitaksjalna
resistivity
spreading resistance
monocrystalline silicon
epitaxial layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
Autorzy:: Przyborowska, K.
Dobrzański, L.
Możdżonek, M.
Surma, B.
Brzozowski, A.
Łapińska, B.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: SiC
grubość warstwy epitaksjalnej
barwienie chemiczne
thickness of epitaxial layer
chemical decoration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski, A.
Sarnecki, J.
Lipiński, D.
Wodzińska, H.
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: rezystywność
oporność rozpływu
krzem monokrystaliczny
warstwa epitaksjalna
resistivity
spreading resistance
monocrystalline silicon
epitaxial layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration
Autorzy:: Przyborowska, K.
Dobrzański, L.
Możdżonek, M.
Surma, B.
Brzozowski, A.
Łapińska, B.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: SiC
grubość warstwy epitaksjalnej
chemiczne barwienie
thickness of epitaxial layer
chemical decoration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja