- Tytuł:
- Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SIC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT
- Autorzy:
-
Caban, P.
Strupiński, W.
Szmidt, J. - Data publikacji:
- 2010
- Słowa kluczowe:
-
HEMT
azotek galu
węglik krzemu
MOVPE
gallium nitride
silicon carbide - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł