- Tytuł:
- Numerical simulations of epitaxial growth in MOVPE reactor as a tool for aluminum nitride growth optimization
- Autorzy:
-
Skibinski, J
Caban, P.
Wejrzanowski, T.
Grybczuk, M.
Kurzydlowski, K. J. - Data publikacji:
- 2016
- Słowa kluczowe:
-
metalorganic vapour phase epitaxy
Finite Volume Method
semiconductor
aluminum nitride
epitaksja
faza gazowa
związek metaloorganiczny
metoda elementów skończonych
półprzewodnik
azotek glinu - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł