- Tytuł:
- High frequency four noise parameters of silicon-on-insulator-based technology MOSFET : prospects for application to low noise RF intergrated circuits
- Autorzy:
-
Dambrine, G.
Raskin, J. P.
Picheta, L.
Vanhoenacker, D.
Colinge, J. P.
Cappy, A. - Data publikacji:
- 1999
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł