- Tytuł:
- Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs
- Autorzy:
-
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolášek, M.
Pucicki, D.
Radziewicz, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M. - Data publikacji:
- 2014
- Słowa kluczowe:
-
ogniwo słoneczne p-i-n
ogniwo tandemowe
technologia AP-MOVPE
p-i-n solar cell
tandem solar cell
AP-MOVPE technology - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł