- Tytuł:
- Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
- Autorzy:
-
Kwietniewski, N.
Pazio, K.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Droździel, A.
Kulik, M.
Prucnal, S.
Pyszniak, K.
Rawski, M.
Turek, M.
Żuk, J. - Data publikacji:
- 2009
- Słowa kluczowe:
-
węglik krzemu
4H-SiC
implantacja
dioda PIN
źródło jonów
rozpraszanie Ramana
silicon carbide
implantation
PIN diode
ion source
Raman scattering - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł