Wszystkie pola: Roszkiewicz Krzysztof

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44
Materiały Elektroniczne 1983 nr 2(42)
Autorzy:: Gładysz Maria
Współwytwórcy:: Roszkiewicz Krzysztof
Surma Barbara
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
epitaxial layers
radiative recombination
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
rekombinacja promienista; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ obróbki termicznej na własności optyczne monokryształów GaAs otrzymanych metodami Bridgmana i Czochralskiego = Effect of heat treatment on photoluminescence of Te-doped and undoped GaAs crystals grown by Czochralski and Bridgman methods
Materiały Elektroniczne 1982 nr 4(40)
Wpływ obróbki termicznej na własności optyczne monokryształów GaAs otrzymanych metodami Bridgmana i Czochralskiego
Autorzy:: Gładysz Maria
Współwytwórcy:: Roszkiewicz Krzysztof
Surma Barbara
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Czochralski method
Bridgman methods
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda Czochralskiego
metoda Bridgmana
Electronic - journal - materials
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja