Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik, A.
Strupiński, W.
Kosiel, K.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: MOCVD
epitaksja
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: MOVPE InP based material for millimeter and submillimeter wave generation and amplification
Autorzy:: Strupiński, W.
Kosiel, K.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Jeleński, A.
Kollberg, E.
Dillner, L.
Nawaz, M.
Data publikacji:: 2002
Słowa kluczowe:: epitaxy InP
MOVPE
microwave generation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: MOVPE InP based material for millimeter and submillimeter wave generation and amplification
Autorzy:: Strupiński, W.
Kosiel, K.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Jeleński, A.
Kollberg, E.
Dillner, L.
Nawaz, M.
Data publikacji:: 2002
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: epitaxy InP
MOVPE
microwave generation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: epitaksja
optoelektronika
azotek
krzem
gal
epitaxy
optoelectronics
nitride
silicon
gallium; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Charakterystyki mocy lasera VECSEL w funkcji relaksacji sieci krystalicznej
Autorzy:: Jasik, A.
Sankowska, I.
Broda, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Trajnerowicz, A.
Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Wasiak, M.
Sokół, A.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: VECSEL
epitaksja MBE
relaksacja sieci
MDS
MBE epitaxy
strain relaxation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Półprzewodnikowe lasery dyskowe - korzyści z inżynierii przerwy wzbronionej
Autorzy:: Muszalski, J.
Broda, A.
Jasik, A.
Wójcik-Jedlińska, A.
Sankowska, I.
Kubacka-Traczyk, J.
Trajnerowicz, A.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: laser półprzewodnikowy
laser dyskowy
VECSEL
epitaksja
semiconductor laser
disc laser
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb
Autorzy:: Kaniewski, J.
Jasik, A.
Regiński, K.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Pierściński, K.
Papis, E.
Wawro, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: detektory podczerwieni
supersieci ll rodzaju
InAs/GaSb
epitaksja MBE
infrared detectors
type-ll superlattice
epitaxy MBE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:: Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Detektory supersieciowe InAs/GaSb : wybrane aspekty technologii wytwarzania
Autorzy:: Czuba, K.
Sankowska, I.
Jasik, A.
Jureńczyk, J.
Papis-Polakowska, E.
Kaźmierczak, P.
Kaniewski, J.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: detektory podczerwieni
supersieci InAs/GaSb
epitaksja z wiązek molekularnych
wysokorozdzielcza dyfraktometria rentgenowska
spektroskopia ramanowska
infrared photodetectors
InAs/GaSb superlattices
molecular beam epitaxy
high resolution x-ray diffraction
raman spectroscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Investigation of strained InGaAs layers on GaAs substrate.
Autorzy:: Jasik, A.
Sass, J.
Mazur, K.
Wesołowski, M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP MOVPE)
strained InGaAs layer
critical layer thickness
high resolution X-ray diffractometry (HR XRD)
diffuse scattering
atomic force microscopy (AFM)
misfit dislocation
plastic relaxation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Epitaxy" wg kryterium: Temat