- Tytuł:
- High-performance 980-nm strained-layer InGaAs/GaAs quantum-well lasers
- Autorzy:
-
Bugajski, M.
Regiński, K.
Mroziewicz, B.
Kubica, J.M.
Sajewicz, P.
Piwoński, T.
Zbroszczyk, M. - Data publikacji:
- 2001
- Słowa kluczowe:
-
laser
gęstość prądu
arsenek galu
półprzewodniki III-V
III-V półprzewodnik
związki indu
wiązka laserowa
laser o studni kwantowej
current density
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser beams
quantum well laser - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł