Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
Electronic materials
LEC
B2O3
InAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaD
metoda LEC
crystal growth
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
LEC method
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Autorzy:: Orłowski, Wacław
Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Gładki Andrzej
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
LP-LEC
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
HP-LEC
Electronic - journal - materials
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja