Autor: Papis K - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Technology and properties of GaInAsSb layers grown on GaSb substrates
Autorzy:: Piskorski, M.
Papis, E.
Gołaszewska, K.
Jung, W.
Adamczewska, J.
Perchuć, L.
Data publikacji:: 2000
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb
Autorzy:: Kaniewski, J.
Jasik, A.
Regiński, K.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Pierściński, K.
Papis, E.
Wawro, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: detektory podczerwieni
supersieci ll rodzaju
InAs/GaSb
epitaksja MBE
infrared detectors
type-ll superlattice
epitaxy MBE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
Autorzy:: Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T. T.
Piskorski, M.
Guziewicz, M.
Papis, E.
Gołaszewska-Malec, K.
Kasjuniuk, S.
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
81.05.Ea
81.40.-z; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Low resistance ohmic contacts to n-GaAs for application in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers
Autorzy:: Karbownik, P.
Barańska, A.
Szerling, A.
Macherzyński, W.
Papis, E.
Kosiel, K.
Bugajski, M.
Tłaczała, M.
Jankieła, R.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: ohmic contacts
sputtering
rapid thermal annealing
RTA
quantum cascade laser
QCL; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb
Autorzy:: Piskorski, M.
Papis, E.
Gołaszewska, K.
Piotrowski, T. T.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Zieliński, M.
Adamczewska, J.
Sawicki, M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: GaSb
procedura eksperymentalna
wyniki
experiment procedure
results; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Obróbka powierzchni (100) GaSb w związkach zawierających siarkę
Autorzy:: Papis, E.
Piotrowska, A.
Piotrowski, T. T.
Kamińska, E.
Gołaszewska, K.
Kudła, A.
Pankowski, P.
Szade, J.
Winiarski, A.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: obróbka powierzchni GaSb
badania porównawcze
roztwór wodny
roztwór alkoholowy
processing of surface GaSb
comparative research
water solution
alcoholic solution; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts to n-Type and High Resistivity CdTe
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Guziewicz, M.
Gierlotka, S.
Papis, E.
Łusakowski, J.
Szadkowski, K.
Kwiatkowski, S.
Dietl, T.
Grabecki, G.
Jaroszyński, J.
Karczewski, G.
Zakrzewski, A. K.
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wet and dry etching of GaSb/GaInAsSb photodiode heterostructures
Autorzy:: Piotrowski, T. T.
Papis, E.
Guziewicz, M.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Andreev, I. A.
Mikhailova, M. P.
Kunitsyna, E. V.
Yakovlev, Y. P.
Data publikacji:: 1998
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Design and fabrication of GaSb/InGaAsSb/AlGaSb mid-infrared photodetectors
Autorzy:: Piotrowski, T. T.
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piskorski, M.
Papis, E.
Gołaszewska, K.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Adamczewska, J.
Wawro, A.
Piotrowski, J.
Orman, Z.
Pawluczyk, J.
Nowak, Z.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: mid-infrared
photodetector
LPE growth
GaSb-based heterostructures
surface passivation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja