- Tytuł:
- Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
- Autorzy:
-
Gutt, T.
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Borowicz, P. - Data publikacji:
- 2012
- Słowa kluczowe:
-
węglik krzemu
SiC
kontaktowa różnica potencjałów
bariery potencjału
napięcie wyprostowanych pasm
spektroskopia mikroramanowska
silicon carbide
contact potential difference
potential barriers
flat-band voltage
micro-Raman spectroscopy - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł