- Tytuł:
- Pomiary oporu właściwego kontaktów omowych do n-SiC metodą c-TLM
- Autorzy:
-
Gołaszewska, K.
Kiszkurno, J. W.
Kuchuk, A.
Jung, W.
Guziewicz, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A. - Data publikacji:
- 2011
- Słowa kluczowe:
-
kontakty omowe
oporność właściwa kontaktu
SiC
półprzewodniki szerokoprzerwowe
metoda c-TLM
kontakty na bazie Ni do n-SiC
ohmic contacts
specific resistance
wide band gap semiconductors
c-TLM method
Ni-based contacts to n-SiC - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł