- Tytuł:
-
Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p = Examination of crystallographic defects during p-n-p transistor process technology
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p - Autorzy:
- Hofman Władysław
- Współwytwórcy:
-
Pawłowska Marta
Wąsowski Jan
Wierzchowski Wojciech - Data publikacji:
- 1979
- Wydawca:
- Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
- Słowa kluczowe:
-
crystallographic defect
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
tranzystor
p-n-p
Electronic - journal - materials
transistor technology
Elektronika - czasopismo - materiały
defekt krystalograficzny - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
