- Tytuł:
-
Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds
Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 3 - Autorzy:
- Dumiszewska Ewa
- Data publikacji:
- 2011
- Wydawca:
- ITME
- Słowa kluczowe:
-
solar cells
MOCVD
ogniwo słoneczne
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
złącze InGaP/Ge
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
InGaP/Ge junction - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych