Wszystkie pola: laser molecular beam epitaxy - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "laser molecular beam epitaxy" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Raman scattering of ZnO films prepared by the laser molecular beam epitaxy
Data publikacji:: 2010
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Raman scattering of ZnO films prepared by the laser molecular beam epitaxy
Autorzy:: Wang, C.
Chen, Z.
He, Y.
Li, L.
Zhang, D.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: Raman scattering
X-ray diffraction
ZnO films
laser molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: High power quantum cascade lasers grown by GasMBE
Autorzy:: Razeghi, M.
Slivken, S.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: quantum cascade laser
high power
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:: Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:: Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Multi-step interrupted-growth MBE technology for GaAs/AlGaAs (~9.4 µm) room temperature operating quantum-cascade lasers
Autorzy:: Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Szerling, A.
Gutowski, P.
Bugajski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: intersubband
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
quantum cascade laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies