Temat: etching process - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Halloysite-based system for controlled delivery of clindamycin phosphate
Autorzy:: Karewicz, Anna
Machowska, Adrianna
Klara, Joanna
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:: halloysite
nanotubes
etching process
haloizyt
nanorurki
proces trawienia; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Halloysite-based system for controlled delivery of clindamycin phosphate
Autorzy:: Karewicz, Anna
Machowska, Adrianna
Klara, Joanna
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: halloysite
nanotubes
etching process
haloizyt
nanorurki
proces trawienia; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties
Autorzy:: Schwalke, U.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: high-k dielectrics
CMOS
Pr2O3
process integration
resist removal
wet chemical cleaning
wet chemical etching
RIE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties
Autorzy:: Schwalke, U.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: high-k dielectrics
CMOS
Pr2O3
process integration
resist removal
wet chemical cleaning
wet chemical etching
RIE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The influence of the PCB design and the process of their manufacturing on the possibility of a defect-free production
Autorzy:: Vasilyev, Fedor
Isaev, Vladimir
Korobkov, Maksim
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: printed circuit board design parameter
process characteristics
exposure
etching
analytical model
defect-free production
parametr projektu płytki drukowanej
charakterystyka procesu
ekspozycja
wytrawianie
produkcja bez defektu; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja