Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "MBE epitaxy" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:
Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.
Data publikacji:
2005
Słowa kluczowe:
Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
Autorzy:
Gutowski, P.
Pierściński, K.
Karbownik, P.
Morawiec, M.
Bugajski, M.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Serebrennikova, O.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Data publikacji:
2016
Słowa kluczowe:
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
InGaAs
InAIAs
molecular beam epitaxy
quantum cascade laser
InAlAs
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies