Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Silicon substrate" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Emisja polowa z powierzchni warstw DLC naniesionych przy użyciu metody RFPCVD na podłoża krzemowe = Field emission from the surface of DLC films deposited by RF PCVD method on silicon substrate
Współwytwórcy:
Politechnika Łódzka. Wydział Mechaniczny. Instytut Inżynierii Materiałowej
Dłużniewski, M.
Politechnika Łódzka. Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej. Instytut Fizyki
Jarzyńska, D.
Karczemska, A.
Politechnika Łódzka. Wydział Mechaniczny. Instytut Maszyn Przepływowych
Staryga, E.
Data publikacji:
2005
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
Tytuł:
Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem
Autorzy:
Szyszka, Adam
Wośko, Mateusz
Paszkiewicz, Regina
Data publikacji:
2019
Słowa kluczowe:
azotek galu
AlGaN/GaN
skaningowa mikroskopia pojemnościowa
skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego
SCM
SSPM
SPM
gallium nitride
AlGaN/GaN/Si
scanning potential microscopy
scanning capacitance microscopy
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Opracowanie metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów na podłożu z węglika krzemu
Autorzy:
Lisik, Z.
Data publikacji:
2006
Słowa kluczowe:
węglik krzemu
krystalizacja
epitaksja
processing
struktury i przyrządy elektroniczne
układy elektroniczne
konkurs ofert
projekt naukowo-badawczy
silicon carbide
crystallization
epitaxy
electronic devices and structures for electronic systems
project-offer
research project
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu
Autorzy:
Borowicz, P.
Adamus, Z.
Ekielski, M.
Piotrowska, A.
Kuchuk, A.
Borysiewicz, M.
Kamińska, E.
Latek, M.
Data publikacji:
2012
Słowa kluczowe:
rozproszenie Ramana
węglik krzemu
węgiel
kontakt omowy
Raman scattering
silicon carbide
carbon
ohmic contact
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Wpływ stosowania krzemianu potasu na wzrost, plonowanie i zdrowotność roślin pomidora ‘Growdena F1’ uprawianego na uprzednio użytkowanym substracie
The influence of application of potassium silicate on growth, fruit yield, and healthiness of ‘Growdena F1’ tomato plants grown in reused peat substrate
Autorzy:
Borkowski, J.
Murgrabia, A.
Dyki, B.
Kowalczyk, W.
Felczyńska, A.
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Instytut Ogrodnictwa
Tematy:
tomato
reused peat substrate
silicon response
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies